Описание
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
12.03.2025
BUK9614-60E datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаBUK9614-60E
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors BUK9614-60E Mfr Package Description: PLASTIC, D2PAK-3/2 Lead Free: Yes EU RoHS Compliant: Yes Package Shape: RECTANGULAR Package Style: SMALL OUTLINE Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Finish: TIN Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 2 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 56 A DS Breakdown Voltage-Min: 60 V Avalanche Energy Rating (Eas): 39 mJ Drain-source On Resistance-Max: 0.0140 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 224 A
-
Количество страниц12 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла206,62 KB
BUK9614-60E datasheet скачать
Новости электроники
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
Возникающие проблемы в тестировании беспроводных коммуникаций
11.03.2025
Развитие 5G RF-дизайна: сочетание гибридного соединения и RFSOI для модулей фронтального тракта следующего...
11.03.2025
